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发布时间：2022-03-03 04:11:11
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在金属内部和半导体导带相对应的分能级上，电子密度小于半导体导带的电子密度。因此，在二者接触后，电子会从半导体向金属扩散，从而使金属带上负电荷，半导体带正电荷。由于金属是理想的导体，负电荷只分布在表面为原子大小的一个薄层之内。而对于N型半导体来说，失去电子的施主杂质原子成为正离子，则分布在较大的厚度之中。
SBD的正向压降和反向漏电流直接影响SBD整流器的功率损耗，关系到系统效率。低正向压降要求有低的肖特基势垒高度，而较高的反向击穿电压要求有尽可能高的势垒高度，这是相矛盾的。因此，对势垒金属必须折衷考虑，故对其选择显得十分重要。对N型SiC来说，Ni和Ti是比较理想的肖特基势垒金属。由于Ni/SiC的势垒高度高于Ti/SiC，故前者有更低的反向漏电流，而后者的正向压降较小。
快***二极管是指反向***时间很短的二极管（5us以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（1-2V），反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快***和超快***两个等级。前者反向***时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下.因此相比较之下，ASEMI肖特基二极管与快***二极管各有各的优势，两者互相弥补，成就了ASEMI***整流12年的佳话！
3、常用的肖特基二极管
常用的有引线式肖特基二极管，1N5817、1N5819、MBR1045、MBR20200 等型号。也就是常说的插件封装。
常用表面贴封装肖特基二极管。贴片肖特基二极管为何命名为"SS"?
SCHOTTKY:取首字母"S",
***D:Surface Mounted Devices 的缩写，意为：表面贴装器件，取首字母"S",
上面两个词组各取首字母、即为 SS,
电流的肖特基是BAT42（0.2A）；BAT54、BAT54A、BAT54C（0.3A）；
电流的肖特基是440A,如：440CMQ030、444CNQ045;超过440A 的必定是模块。
肖特基的电压是 200V,也就是说，肖特基的极限电压是200V.超过200V 电压的也必定是模块。
电流越大，电压越低。与可控硅元件不一样。电流与电压成反比（模块除外）。
10A、20A、30A 规格的有做到200V 电压。除此外，都没有200V 电压规格。
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